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int_eio_p1例程

1 功能概述

本代码示例主要演示P1口输入变化中断的功能

2 环境要求

• Board: PAN221x_EVB

• 逻辑分析仪

• PANCHIP RISC IDE

3 编译和烧录

例程位置：`PAN221x_DK_Public\01_SDK\basic_demo\int

打开int目录下int_eio_p1.sproj工程，编译整个代码工程。

4 测试方法

1、设置系统时钟源为dpll，并配置系统时钟为8Mhz；

2、设置P0.4为开漏输出模式，需要外接上拉电阻，才可以输出高电平，用于调试；

3、设置所有P1口为输入模式；

4、设置外部中断的触发方式(上升沿、下降沿、高电平、低电平)；

5、通过杜邦线连接P0.4和待测的io到逻辑分析仪；

6、分别将P1口和外部按键电路连接；

7、待检测到P1口变化中断后，同时判断具体是哪个io引起的，然后再翻转P0.4；

备注：外部按键电路如下图所示：

外部按键电路

外围按键电路未按下时是低电平，按下时是高电平，刚好会引起IO口电平变化；

5 测试现象

1、P1.0电平变化测试结果如下图所示：

P1.0电平变化测试

上图局部放大部分：

2、P1.1电平变化测试结果如下图所示：

P1.1电平变化测试

上图局部放大部分：

3、P1.2电平变化测试结果如下图所示：

P1.2电平变化测试

上图局部放大部分：

4、P1.3电平变化测试结果如下图所示：

P1.3电平变化测试

上图局部放大部分：

5、P1.4电平变化测试结果如下图所示：

P1.4电平变化测试

上图局部放大部分：

6、P1.5电平变化测试结果如下图所示：

P1.5电平变化测试

上图局部放大部分：

7、P1.6电平变化测试结果如下图所示：

P1.6电平变化测试

上图局部放大部分：

8、P1.7电平变化测试结果如下图所示：

P1.7电平变化测试

上图局部放大部分：

6 Rom/Ram资源使用情况

rom 86 bytes, ram 0 bytes